+7(8482)93-11-33
+79277730386
GS66516T-E02-TY
Производитель: GaN Systems
Номер части: GS66516T-E02-TY
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Вышло из употребления
Номер части: GS66516T-E02-TY
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Вышло из употребленияЦена: по запросу
| Описание | действие |
| GS66516T-E02-TY Лист данных | скачать |
МОП-транзистор 650V 60A E-Mode GaN Preproduction Units
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Qg - заряд затвора | 13 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 27 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | +/- 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.6 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | GaN Systems |
| Технология | GaN |
| Торговая марка | GaN Systems |
| Упаковка | Tray |
Страница создана за 0.579 секунд.