GSM-065-120-1-N-0

GSM-065-120-1-N-0

GSM-065-120-1-N-0
Производитель: GaN Systems
Номер части: GSM-065-120-1-N-0
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации: Окончание срока эксплуатации: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства.
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
GSM-065-120-1-N-0 Лист данных скачать
МОП-транзистор 650V, 120A, 12 mOhm, GaN E-Mode Die Evaluation Module
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 120 A
Qg - заряд затвора 25 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 12 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток 7 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель GaN Systems
Размер фабричной упаковки 1
Технология GaN
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка GaN Systems
Упаковка Bulk
Упаковка / блок Die
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.14 секунд.