IPB80N03S4L03ATMA1

IPB80N03S4L03ATMA1

IPB80N03S4L03ATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPB80N03S4L03ATMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
IPB80N03S4L03ATMA1 Лист данных скачать
МОП-транзистор N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
МОП-транзистор
Высота 4.4 mm
Длина 10 mm
Квалификация AEC-Q101
Ширина 9.25 mm
Id - непрерывный ток утечки 80 A
Pd - рассеивание мощности 136 W
Qg - заряд затвора 140 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
Вес изделия 4 g
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 9 ns
Время спада 13 ns
Другие названия товара № IPB80N03S4L-03 IPB8N3S4L3XT SP000274982
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 1000
Серия XPB80N03
Технология Si
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 62 ns
Типичное время задержки при включении 14 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel
Упаковка / блок TO-263-3
CNHTS 8541290000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
Метки:
Страница создана за 0.562 секунд.