+7(8482)93-11-33
+79277730386
SIA445EDJ-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIA445EDJ-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Вышло из употребления
Номер части: SIA445EDJ-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Вышло из употребленияЦена: по запросу
МОП-транзистор -20V 16.5mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | - 12 A |
| Pd - рассеивание мощности | 19 W |
| Qg - заряд затвора | 23 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 20 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | SIA445EDJ-GE3 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SC-70-6 |
Страница создана за 0.281 секунд.