SIS990DN-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIS990DN-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 100V .085ohm@10V 12.1A Dual N-Ch

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	12.1 A
Pd - рассеивание мощности	25 W
Qg - заряд затвора	5.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	86 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	8 ns
Время спада	6 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	ThunderFET TrenchFET
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	11 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SISxxxDN
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	8 ns
Типичное время задержки при включении	8 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-1212-8

Метки: