SIA466EDJ-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIA466EDJ-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20V 9.5mOhms@10V 25A N-Ch МОП-транзистор

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	25 A
Pd - рассеивание мощности	19.2 W
Qg - заряд затвора	13 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	13 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	73 ns
Время спада	20 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	38 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Серия	SiA466EDJ
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	12 ns
Типичное время задержки при включении	15 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-SC-70-6

Метки: