+7(8482)93-11-33
+79277730386
МОП-транзистор | |
Id - непрерывный ток утечки | 1.8 A |
Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
Qg - заряд затвора | 1.1 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 400 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | +/- 12 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | Toshiba |
Технология | Si |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | SOT-563-6 |