Si8410DB-T2-E1

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: Si8410DB-T2-E1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20V N-Chnl TrenchFET 1.5-4.5V Microfoot

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	5.7 A
Pd - рассеивание мощности	1.8 W
Qg - заряд затвора	10.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	68 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	400 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	25 ns
Время спада	10 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	17 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Типичное время задержки выключения	26 ns
Типичное время задержки при включении	5 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	MicroFoot-4

Метки: