IXFB210N30P3

Производитель: IXYS
Номер части: IXFB210N30P3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Channel: Power МОП-транзистор w/Fast Diode

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	210 A
Pd - рассеивание мощности	1.89 kW
Qg - заряд затвора	268 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	14.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	300 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	25 ns
Время спада	13 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	Polar3, HiPerFET
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	60 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	25
Серия	IXFB210N30
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	94 ns
Типичное время задержки при включении	46 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	PLUS-264-3

Метки: