MGSF2N02ELT1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: MGSF2N02ELT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор NFET SOT23 20V 2.8A 85mOhm

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	2.8 A
Pd - рассеивание мощности	1.25 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	85 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	95 ns
Время спада	95 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	MGSF2N02EL
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	28 ns
Типичное время задержки при включении	6 ns
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23-3

Метки: