NTD5862N-1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NTD5862N-1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор NFET IPAK 60V 102A 6MOHM

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	98 A
Pd - рассеивание мощности	115 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	70 ns
Время спада	60 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	75
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	35 ns
Типичное время задержки при включении	18 ns
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	DPAK-3

Метки: