SI7611DN-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI7611DN-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 40V 18A 39W 25mohm @ 10V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	9.3 A
Pd - рассеивание мощности	3.7 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	25 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	150 ns, 11 ns
Время спада	12 ns, 9 ns
Другие названия товара №	SI7611DN-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single Quad Drain Triple Source
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 50 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	28 ns, 30 ns
Типичное время задержки при включении	47 ns, 10 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-1212-8

Метки: