SI3477DV-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI3477DV-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор -12V 17.5mOhm@4.5V 8A P-Ch G-III

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 8 A
Pd - рассеивание мощности	4.2 W
Qg - заряд затвора	28.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	17.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 12 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10 ns
Время спада	30 ns
Другие названия товара №	SI3477DV-GE3
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single Quad Drain
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	30 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	65 nS
Типичное время задержки при включении	10 nS
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TSOP-6

Метки: