RS1E200GNTB

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: RS1E200GNTB
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	20 A
Pd - рассеивание мощности	3 W
Qg - заряд затвора	16.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	7.2 ns
Время спада	8.4 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	18 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	ROHM Semiconductor
Серия	RS1E200GN
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	34.7 ns
Типичное время задержки при включении	13.2 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	HSOP-8

Метки: