+7(8482)93-11-33
+79277730386
IXFN360N15T2
Производитель: IXYS
Номер части: IXFN360N15T2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IXFN360N15T2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR МОП-транзистор
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 310 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 170 ns |
| Время спада | 265 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | IXYS |
| Серия | IXFN360N15 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
Страница создана за 0.395 секунд.