IRF2805SPBF

IRF2805SPBF

IRF2805SPBF
Производитель: International Rectifier
Номер части: IRF2805SPBF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации: Окончание срока эксплуатации: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства.
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
IRF2805SPBF Лист данных скачать
МОП-транзистор 55V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms 150nC
МОП-транзистор
Высота 2.3 mm
Длина 6.5 mm
Подкатегория MOSFETs
Тип HEXFET Power MOSFET
Тип продукта MOSFET
Ширина 6.22 mm
Id - непрерывный ток утечки 135 A
Pd - рассеивание мощности 200 W
Qg - заряд затвора 150 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 4.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 55 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вес изделия 4 g
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 120 ns
Время спада 110 ns
Другие названия товара № SP001569988
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 91 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 68 ns
Типичное время задержки при включении 14 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-252-3
CAHTS 8541290000
CNHTS 8541290000
ECCN EAR99
JPHTS 8541290100
KRHTS 8541299000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
USHTS 8541290095
Метки:
Страница создана за 0.173 секунд.