+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
IPD70N03S4L04ATMA1 Лист данных | скачать |
МОП-транзистор | |
Высота | 2.3 mm |
Длина | 6.5 mm |
Квалификация | AEC-Q101 |
Ширина | 6.22 mm |
Id - непрерывный ток утечки | 70 A |
Pd - рассеивание мощности | 68 W |
Qg - заряд затвора | 48 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.6 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вес изделия | 4 g |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 5 ns |
Время спада | 5 ns |
Другие названия товара № | IPD70N03S4L-04 IPD7N3S4L4XT SP000274986 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | Infineon |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | XPD70N03 |
Технология | Si |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 27 ns |
Типичное время задержки при включении | 7 ns |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
CNHTS | 8541290000 |
MXHTS | 85412999 |
TARIC | 8541290000 |