IXFN82N60P

Производитель: IXYS
Номер части: IXFN82N60P
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор DIODE Id82 BVdass600

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	72 A
Pd - рассеивание мощности	1.04 kW
Qg - заряд затвора	240 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	75 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
Вес изделия	38 g
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	23 ns
Время спада	24 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	Polar, HiPerFET
Конфигурация	Single Dual Source
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	50 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	10
Серия	IXFN82N60
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	79 ns
Типичное время задержки при включении	28 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SOT-227-4

Метки: