+7(8482)93-11-33
+79277730386
PSMN4R3-80ES,127
Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PSMN4R3-80ES,127
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: PSMN4R3-80ES,127
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор N-Ch 80V 4.3 mOhms
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Pd - рассеивание мощности | 306 W |
| Qg - заряд затвора | 104 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | NXP |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | I2PAK-3 |
Страница создана за 0.147 секунд.