SI1308EDL-T1-GE3

SI1308EDL-T1-GE3

SI1308EDL-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI1308EDL-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
МОП-транзистор 30V 1.5A
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 1.5 A
Pd - рассеивание мощности 400 mW
Qg - заряд затвора 1.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 132 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 0.6 V to 1.5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 9 ns
Время спада 8 ns
Другие названия товара № SI1300BDL-T1-GE3 SI1304BDL-T1-GE3
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение TrenchFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 5 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Vishay
Размер фабричной упаковки 3000
Серия SI1308EDL
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 8 ns
Типичное время задержки при включении 2 ns
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Reel
Упаковка / блок SOT-323-3
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.157 секунд.