IXFN102N30P

IXFN102N30P

IXFN102N30P
Производитель: IXYS
Номер части: IXFN102N30P
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
МОП-транзистор 102 Amps 300V 0.033 Rds
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 86 A
Pd - рассеивание мощности 570 W
Qg - заряд затвора 224 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 33 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 300 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5 V
Вес изделия 38 g
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 28 ns
Время спада 30 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение PolarHV, HiPerFET
Конфигурация Single Dual Source
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 45 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель IXYS
Размер фабричной упаковки 20
Серия IXFN102N30
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 130 ns
Типичное время задержки при включении 30 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок SOT-227-4
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.351 секунд.