SIA459EDJ-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIA459EDJ-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор -20V .035ohm@-4.5V -9A P-Ch T-FET

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 9 A
Pd - рассеивание мощности	15.6 W
Qg - заряд затвора	10 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	35 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	25 ns
Время спада	20 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SiA459EDJ
Типичное время задержки выключения	40 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-SC-70-6

Метки: