SI5471DC-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI5471DC-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор -20V 20mOhm@4.5V 6A P-Ch G-III

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 6 A
Pd - рассеивание мощности	2.5 W
Qg - заряд затвора	30 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	20 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	35 ns, 8 ns
Время спада	33 ns, 22 ns
Другие названия товара №	SI5471DC-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single Hex Drain
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	70 ns, 78 ns
Типичное время задержки при включении	32 ns, 9 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	ChipFET-8

Метки: