IPG20N10S4L-35

IPG20N10S4L-35

IPG20N10S4L-35
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPG20N10S4L-35
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
IPG20N10S4L-35 Лист данных скачать
МОП-транзистор МОП-транзистор
МОП-транзистор
TARIC (Единый тариф ЕЭС) 8541290000
Высота 1.27 mm
Длина 5.9 mm
Квалификация AEC-Q101
Код HTS 8541290095
Ширина 5.15 mm
Id - непрерывный ток утечки 20 A
Pd - рассеивание мощности 43 W
Qg - заряд затвора 13.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 35 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 2 ns
Время спада 13 ns
Другие названия товара № IPG20N10S4L35ATMA1 IPG2N1S4L35XT SP000859022
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 2 Channel
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 5000
Серия XPG20N10
Технология Si
Тип транзистора 2 N-Channel
Типичное время задержки выключения 18 ns
Типичное время задержки при включении 3 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel
Упаковка / блок PG-TDSON-8
CNHTS 8541210000
MXHTS 85412999
TARIC (Единый тариф ЕЭС) 8541290000
Метки:
Страница создана за 0.189 секунд.