SIZ916DT-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIZ916DT-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 30V 1.3mOhm@10V 40A N-Ch G-IV

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	16 A
Pd - рассеивание мощности	22.7 W, 100 W
Qg - заряд затвора	7.2 nC, 45 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.3 mOhms, 1.75 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V, 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	20 ns, 83 ns
Время спада	5 ns, 10 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	55 S, 116 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SIZxxxDT
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	23 ns, 66 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns, 27 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	WDFN-8

Метки: