+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
VN10KN3-G Лист данных | скачать |
МОП-транзистор | |
Id - непрерывный ток утечки | 310 mA |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Вес изделия | 220 mg |
Вид монтажа | Through Hole |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | Microchip |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | Microchip Technology |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-92-3 |