+7(8482)93-11-33
+79277730386
NDD04N60Z-1G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NDD04N60Z-1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: NDD04N60Z-1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор NFET IPAK 600V 4A 1.8R
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.1 A |
| Pd - рассеивание мощности | 83 W |
| Qg - заряд затвора | 19 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.3 S |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 75 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | IPAK-3 |
Страница создана за 0.301 секунд.