IPD180N10N3 G

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPD180N10N3 G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	43 A
Pd - рассеивание мощности	71 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	18 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	12 ns
Время спада	5 ns
Другие названия товара №	IPD180N10N3GBTMA1 IPD180N10N3GXT SP000482438
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	2500
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	19 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DPAK-3

Метки: