SIHP21N65EF-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIHP21N65EF-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 650V 180mOhms@10V 21A N-Ch EF-SRS

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	21 A
Pd - рассеивание мощности	208 W
Qg - заряд затвора	106 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	180 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	700 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V to 4 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	34 ns
Время спада	68 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	7 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Серия	E
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	68 ns
Типичное время задержки при включении	22 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-220-3

Метки: