+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
RF4E070BNTR Лист данных | скачать |
МОП-транзистор | |
Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
Pd - рассеивание мощности | 2 W |
Qg - заряд затвора | 8.9 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 28.6 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 8 ns |
Время спада | 5 ns |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | ROHM Semiconductor |
Серия | RF4E070BN |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 23 ns |
Типичное время задержки при включении | 6 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | DFN2020-8 |