SSM3J306T(TE85L,F)

Производитель: Toshiba
Номер части: SSM3J306T(TE85L,F)
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор P-Ch Sm Sig FET Id -2.4A -30V -20VGS

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 2.4 A
Pd - рассеивание мощности	700 mW
Qg - заряд затвора	2.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	160 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 2.6 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Toshiba
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	35 ns
Типичное время задержки при включении	16 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TSM-3

Метки: