SI1902CDL-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI1902CDL-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20V 1A DUAL NCH

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	1.1 A
Pd - рассеивание мощности	420 mW
Qg - заряд затвора	0.9 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	235 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	13 ns
Время спада	9 ns
Другие названия товара №	SI1958DH-T1-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	3 ms
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI19xxDx
Тип транзистора	2 P-Channel
Типичное время задержки выключения	11 ns
Типичное время задержки при включении	4 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SC-70-6

Метки: