IPB180N04S4H0ATMA1

IPB180N04S4H0ATMA1

IPB180N04S4H0ATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPB180N04S4H0ATMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
IPB180N04S4H0ATMA1 Лист данных скачать
МОП-транзистор N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
МОП-транзистор
Высота 4.4 mm
Длина 10 mm
Квалификация AEC-Q101
Ширина 9.25 mm
Id - непрерывный ток утечки 180 A
Pd - рассеивание мощности 250 W
Qg - заряд затвора 225 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 900 uOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вес изделия 1.539 g
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 24 ns
Время спада 49 ns
Другие названия товара № IPB180N04S4-H0 IPB18N4S4HXT SP000711248
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 1000
Серия XPB180N04
Технология Si
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 50 ns
Типичное время задержки при включении 44 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel
Упаковка / блок TO-263-7
CNHTS 8541290000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
Метки:
Страница создана за 0.239 секунд.