+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
IRF6645TRPBF Лист данных (PDF) | скачать |
МОП-транзистор | |
Высота | 0.7 mm |
Длина | 4.85 mm |
Подкатегория | MOSFETs |
Тип продукта | MOSFET |
Ширина | 3.95 mm |
Id - непрерывный ток утечки | 5.7 A |
Pd - рассеивание мощности | 42 W |
Qg - заряд затвора | 14 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 28 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 5 ns |
Время спада | 5.1 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | DirectFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | Infineon |
Размер фабричной упаковки | 4800 |
Технология | Si |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 18 ns |
Типичное время задержки при включении | 9.2 ns |
Торговая марка | Infineon / IR |
Упаковка | Cut Tape, MouseReel, Reel |
Упаковка / блок | DirectFET-SJ |
CAHTS | 8541290000 |
CNHTS | 8541290000 |
ECCN | EAR99 |
JPHTS | 8541290100 |
KRHTS | 8541299000 |
MXHTS | 85412999 |
TARIC | 8541290000 |
USHTS | 8541290095 |