SiHH26N60E-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SiHH26N60E-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор E-Series Vds 600V Rds(On) 0.135 @10V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	25 A
Pd - рассеивание мощности	202 W
Qg - заряд затвора	77 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	135 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	54 ns
Время спада	45 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	E Series
Конфигурация	1 N-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	8.6 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	80 ns
Типичное время задержки при включении	28 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK

Метки: