SSM6J213FE(TE85L,F

SSM6J213FE(TE85L,F

SSM6J213FE(TE85L,F
Производитель: Toshiba
Номер части: SSM6J213FE(TE85L,F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации: Вышло из употребления
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
МОП-транзистор P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки - 2.6 A
Pd - рассеивание мощности 500 mW
Qg - заряд затвора 4.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 250 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток - 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток - 0.3 V to - 1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора P-Channel
Производитель Toshiba
Размер фабричной упаковки 4000
Серия U-MOSVI
Тип транзистора 1 P-Channel
Торговая марка Toshiba
Упаковка Reel
Упаковка / блок SOT-23-6
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.168 секунд.