+7(8482)93-11-33
+79277730386
SIHD12N50E-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIHD12N50E-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Вышло из употребления
Номер части: SIHD12N50E-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Вышло из употребленияЦена: по запросу
МОП-транзистор N-Channel 500V
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 10.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 114 W |
| Qg - заряд затвора | 25 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 380 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | E Series |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
Страница создана за 0.394 секунд.