+7(8482)93-11-33
+79277730386
SIS892ADN-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIS892ADN-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Вышло из употребления
Номер части: SIS892ADN-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Вышло из употребленияЦена: по запросу
МОП-транзистор 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 28 A |
| Pd - рассеивание мощности | 52 W |
| Qg - заряд затвора | 6.1 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 33 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | SIS892ADN-GE3 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | ThunderFET TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SISxxxADN |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
Страница создана за 0.142 секунд.