PMN35EN,125

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PMN35EN,125
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Chan 30V 5.1A

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	5.1 A
Pd - рассеивание мощности	4.17 W
Qg - заряд затвора	6.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	25 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	15 ns
Время спада	24 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	53 ns
Типичное время задержки при включении	4 ns
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TSOP-6

Метки: