IXFH26N60Q

IXFH26N60Q

IXFH26N60Q
Производитель: IXYS
Номер части: IXFH26N60Q
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
IXFH26N60Q Лист данных открыть
МОП-транзистор 600V 26A
МОП-транзистор
Высота 21.46 mm
Длина 16.26 mm
Подкатегория MOSFETs
Тип продукта MOSFET
Ширина 5.3 mm
Id - непрерывный ток утечки 26 A
Pd - рассеивание мощности 360 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 250 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вес изделия 6.500 g
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 32 ns
Время спада 16 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение HyperFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 22 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель IXYS
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXFH26N60
Технология Si
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 80 ns
Типичное время задержки при включении 30 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
CAHTS 8541290000
CNHTS 8541100000
ECCN EAR99
JPHTS 8541290100
KRHTS 8541299000
MXHTS 85411001
TARIC 8541100000
USHTS 8541290095
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.545 секунд.