IPG20N04S4L-08

IPG20N04S4L-08

IPG20N04S4L-08
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPG20N04S4L-08
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
IPG20N04S4L-08 Лист данных скачать
МОП-транзистор N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
МОП-транзистор
Высота 1.27 mm
Длина 5.9 mm
Квалификация AEC-Q101
Ширина 5.15 mm
Id - непрерывный ток утечки 20 A
Pd - рассеивание мощности 54 W
Qg - заряд затвора 39 nC, 39 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 7.2 mOhms, 7.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток 16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 3 ns, 3 ns
Время спада 20 ns, 20 ns
Другие названия товара № IPG20N04S4L08ATMA1 IPG2N4S4L8XT SP000705576
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 2 Channel
Коммерческое обозначение OptiMOS
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 5000
Серия OptiMOS-T2
Технология Si
Тип транзистора 2 N-Channel
Типичное время задержки выключения 40 ns, 40 ns
Типичное время задержки при включении 7 ns, 7 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel
Упаковка / блок TDSON-8
CNHTS 8541210000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
Метки:
Страница создана за 0.168 секунд.