IXFX120N65X2

IXFX120N65X2

IXFX120N65X2
Производитель: null
Номер части: IXFX120N65X2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
IXFX120N65X2 Лист данных скачать
МОП-транзистор МОП-транзистор 650V/120A Ultra Junction X2
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 120 A
Pd - рассеивание мощности 1.25 kW
Qg - заряд затвора 225 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 24 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.7 V
Вес изделия 1.600 g
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 23 ns
Время спада 12 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение HiPerFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 46 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель IXYS
Размер фабричной упаковки 30
Серия 650V Ultra Junction X2
Технология Si
Типичное время задержки выключения 86 ns
Типичное время задержки при включении 64 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
CNHTS 8541290000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.448 секунд.