IXTY8N65X2

IXTY8N65X2

IXTY8N65X2
Производитель: IXYS
Номер части: IXTY8N65X2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
IXTY8N65X2 Лист данных открыть
МОП-транзистор
МОП-транзистор
TARIC (Единый тариф ЕЭС) 8541290000
Код HTS 8541290095
Id - непрерывный ток утечки 8 A
Pd - рассеивание мощности 150 W
Qg - заряд затвора 12 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 500 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вес изделия 2.300 g
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 28 ns
Время спада 24 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Коммерческое обозначение HiPerFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 4.8 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель IXYS
Размер фабричной упаковки 70
Технология Si
Типичное время задержки выключения 53 ns
Типичное время задержки при включении 24 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-252-3
CNHTS 8541290000
MXHTS 85412999
TARIC (Единый тариф ЕЭС) 8541290000
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.457 секунд.