IXFN170N30P

IXFN170N30P

IXFN170N30P
Производитель: IXYS
Номер части: IXFN170N30P
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
МОП-транзистор 138 Amps 300V 0.018 Rds
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 138 A
Pd - рассеивание мощности 890 W
Qg - заряд затвора 258 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 18 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 300 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4.5 V
Вес изделия 38 g
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 29 ns
Время спада 16 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение Polar, HiPerFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 57 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель IXYS
Размер фабричной упаковки 10
Серия IXFN170N30
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 79 ns
Типичное время задержки при включении 41 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Bulk
Упаковка / блок SOT-227-4
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.248 секунд.