TK12E60W,S1VX

Производитель: Toshiba
Номер части: TK12E60W,S1VX
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	11.5 A
Pd - рассеивание мощности	110 W
Qg - заряд затвора	25 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	300 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.7 V to 3.7 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	23 ns
Время спада	5.5 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Toshiba
Размер фабричной упаковки	50
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	85 ns
Типичное время задержки при включении	23 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-220-3

Метки: