SIA914ADJ-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIA914ADJ-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20V 43mOhom@4.5V 4.5A Dual N-CH

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	4.5 A
Pd - рассеивание мощности	7.8 W
Qg - заряд затвора	8.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	47 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	0.9 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	20 ns
Время спада	5 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	18 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	2 P-Channel
Типичное время задержки выключения	25 ns
Типичное время задержки при включении	7 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SC-70-6

Метки: