IPS65R1K5CEAKMA1

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPS65R1K5CEAKMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch 650V 3.1A IPAK-3

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	3.1 A
Pd - рассеивание мощности	28 W
Qg - заряд затвора	10.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	5.9 ns
Время спада	18.2 ns
Другие названия товара №	IPS65R1K5CE SP001276050
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	CoolMOS
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	33 ns
Типичное время задержки при включении	7.7 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-251-3

Метки: