SI4800BDY-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI4800BDY-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	6.5 A
Pd - рассеивание мощности	1.3 W
Qg - заряд затвора	13 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	18.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	12 ns
Время спада	12 ns
Другие названия товара №	SI4800BDY-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	2500
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	32 ns
Типичное время задержки при включении	7 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOIC-Narrow-8

Метки: