SIA913ADJ-T1-GE3

SIA913ADJ-T1-GE3

SIA913ADJ-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIA913ADJ-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации: Вышло из употребления
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
МОП-транзистор 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 4.3 A
Pd - рассеивание мощности 1.9 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 50 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток - 12 V
Vgs - напряжение затвор-исток 8 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 25 ns
Время спада 25 ns
Другие названия товара № SIA913ADJ-GE3
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 2 Channel
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора P-Channel
Производитель Vishay
Размер фабричной упаковки 3000
Тип транзистора 2 P-Channel
Типичное время задержки выключения 30 ns
Типичное время задержки при включении 20 ns
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Reel
Упаковка / блок SC-70-6
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.455 секунд.