+7(8482)93-11-33
+79277730386
SiHU3N50D-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SiHU3N50D-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Вышло из употребления
Номер части: SiHU3N50D-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Вышло из употребленияЦена: по запросу
МОП-транзистор 500V 3A 3.2Ohm @ 10V
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 104 W |
| Qg - заряд затвора | 6 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 9 ns |
| Время спада | 13 ns |
| Другие названия товара № | SIHU3N50D-E3 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1 S |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Серия | E |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | IPAK-3 |
Страница создана за 0.389 секунд.